大学这些骗子全是骗funding的 申请一万个专利都没屁用

truesam

我真三木是话糙理不糙    中国现在一半以上的骗子都集中在大学里面，

复旦大学张卫教授课题组在22纳米CMOS关键技术先导研发上取得突破性进展

22 纳米 CMOS技术是全球正在研究开发的最新一代集成电路制造工艺，各国都投入了巨
大资金，力争抢占技术制高点。Intel开发的基于三栅器件结构的处理器已于近期实现
量产；IBM联盟也于近期发布了采用22纳米工艺生产的SRAM芯片；Global Foundries，
欧洲的IMEC，日韩的三星、Toshiba和我国台湾的台积电也发布了各自的22纳米制程技
术；我国于2009年在国家科技重大专项的支持下开始22纳米关键技术先导研发，该项目
由中科院微电子所牵头，北京大学、清华大学、复旦大学和中科院微系统所共同参与，
开展联合攻关。经过3年多的辛勤努力，复旦大学微电子学系张卫教授课题组在22纳米
CMOS关键技术先导的研发上取得突破性进展，提出了多种超浅结源漏和先进互连的新工
艺。
在22纳米 CMOS技术节点，为降低成本、减少功耗和提高器件性能，需要引入新的工艺
如栅工程、超浅结源漏、应变沟道和先进互连技术等。复旦大学张卫教授课题组的研究
工作主要集中在超浅结源漏和互连工艺。我们提出了极限超薄可控金属硅化物工艺，以
及超浅结低温微波退火激活技术。如图1所示，金属硅化物接触电阻< 10-7 cm2；金属
有效肖特基势垒高度<0.1eV；PMOS结深<18 nm，满足22纳米CMOS器件的需要。在互连技
术上，探索多种超低k互连介质并将之整合到铜互连工艺中。如图2所示，这种超低k材
料的前驱体分子本身就有个纳米环，采用这种特殊的前驱体后，可以通过C-C桥联键将
纳米孔结构均匀地分布在薄膜中，在降低薄膜k值的同时可以获得较强的薄膜机械性能
。此外，我们优化纳米通孔的铜互连电镀新工艺，实现了无孔洞的Cu电

在研发过程中，复旦大学张卫课题组共申请相关发明专利180多项，其中包括50项国际
专利申请。整个22纳米关键技术先导研发项目完成1369项专利申请，其中包括424项国
际专利申请，为我国在集成电路领域掌握自主知识产权，取得国际话语权奠定基础。
多年来，我国的集成电路先进制造工艺大多是在引进的核心知识产权上进行产品工艺开
发，在全球产业链最先进工艺的开发上缺少布局和话语权。此次22纳米关键技术先导研
发是国内第一次在全球最先进工艺技术代组织这么大规模的产学研联合攻关，同期，国
内制造企业在28纳米工艺上也在进行开发，目标就是在22纳米核心技术的知识产权中取
得一席之地，在我国集成电路制造产业进入22纳米技术代时，开始拥有自己的话语权。
该成果的取得对我国集成电路产业在22纳米获得具有自主知识产权的核心技术有重要意
义，也为我国继续自主研发16纳米及以下技术代的关键工艺提供了必要的技术支撑。结
合国内制造企业在28纳米技术研发上取得的突破，我国已开始在全球尖端集成电路技术
创新链中拥有自己的地位。